Основа логикиP углеродная нанотрубка в роли полевого нанотранзистора. Транзисторы расположены на кремниевой подложке. Далее на нее был нанесен тонкий слой оксида гафния толщиной 20Pнанометров, отделяющий нанотрубку от подложки. С разных сторон нанотрубки были сформированы исток и, соответственно, сток, а кремниевая подложка выполнила роль затвора.
Рис. 1.PСхема одного нанотранзистора
Как говорит физик из Технологического Университета Хельсинки (Helsinki University of Technology) Пайви Торма (P"ivi T¦rm"), данный прототип вплотную приблизился к требованиям для коммерческих устройств хранения информации, таких как USB-flash память, например. Не секрет, что нанотехнологии могут обеспечить в будущем достаточно емкие устройства хранения данных, но пока прогресс в области коммерческих устройств проходит достаточно медленно.
Цикл чтения/записи составляет всего 100Pнаносекунд, что в 100000Pраз больше, чем у предыдущего прототипа нанотрубочной памяти. Более того, значение количества циклов чтения/записи превышает 10000, что тоже очень хорошо для устройства, использующего нанотрубки.
Исследователям из Финляндии удалось создать новый тип памяти на основе углеродных нанотрубок. Как надеются нанотехнологи, в будущем могут появиться реальные USB-устройства хранения памяти с нанотрубками.
Опубликовано Svidinenko в 27 января, 2009 - 12:29
» » Первые успехи в создании коммерческой USB-памяти на основе нанотрубок
Первые успехи в создании коммерческой USB-памяти на основе нанотрубок | Нанотехнологии Nanonewsnet
Комментариев нет:
Отправить комментарий